Status ：In development
Polarity ：Single-N
Type ：SiC MOSFET
Package ：DFN88
VDS [V] ：650
ID [A] ：40
RDS(ON) [mΩ] Typ. ：105
RDS(ON) [mΩ] Max. ：150
VTH [V] Min. ：
VTH [V] Typ. ：2.7
VTH [V] Max. ：
Ciss [pF] ：767
Coss [pF] ：55
Crss [pF] ：7
td(on) [nS] ：2.6
tr [nS] ：10
td(off) [nS] ：11
tf [nS] ：5
Qg [nC] ：36.1
Qgs [nC] ：9.2
Qgd [nC] ：13.9
EAS [mJ] ：
TRR [ns] ：14.2
PD [W] ：214
Built-in ESD ：No
TJ Max. ：175
Qualification ：Industrial
